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长鑫存储低价DRAM搅局 全球市场震动中国厂商崛起2026-02-21 11:20:26 来源:互联网 浏览量 :加载中...在全球内存价格持续飙升 、长鑫存储厂商行业进入超级循环的搅局崛起背景下,中国DRAM巨头长鑫存储推出的全球低价策略,让本就躁动的市场存储器市场陷入多空激烈博弈 ,引发全球市场连锁反应 ,震动中国与此同时,长鑫存储厂商长鑫存储、搅局崛起长江存储等中国存储大厂正加速扩产布局 ,全球全力抢抓市场机遇。市场

据报道,长鑫存储近期针对32GB DDR4-3200 ECC内存模组 ,长鑫存储厂商推出了138美元的搅局崛起“破盘价” 。这一价格极具冲击力,全球仅为当前国际市场300至400美元行情的市场三分之一左右,消息一出瞬间引发全球存储器市场震动 ,震动中国打破了当前内存市场的价格平衡。
长鑫存储的低价举措直接点燃市场恐慌情绪,投资者普遍担忧存储器产业将再度陷入红海竞争,此前3日早盘一度回暖的内存板块随即承压下挫,恐慌氛围迅速蔓延 。其中 ,DRAM双雄华邦电、南亚科首当其冲 ,当日股价分别暴跌9.05%和5.61%;此外 ,群联、品安、晶豪科 、至上、威刚、宇瞻及华东等相关个股跌幅均逾半根停板 ,整个内存板块遭遇重创。
此次市场剧烈波动的背后,是全球存储器市场的深刻结构性变革。随着AI运算需求爆发式增长 ,全球存储器市场已进入新一波超级循环,供需失衡态势日益明显——单台AI服务器内存需求是普通服务器的8至10倍 ,挤压了消费级产品供应,而三星、SK海力士等国际巨头则将80%以上先进产能转向高毛利率的HBM(高带宽内存) ,导致成熟DRAM产能缩减。受此影响,2025年底内存相关产品售价便已大幅上涨 ,甚至打乱了多款电子产品2026年的生产布局,消费电子、汽车电子等下游行业面临巨大成本压力 。

在此背景下,长鑫存储、长江存储等中国存储大厂正紧抓行业机遇,启动大规模扩产计划,加速抢占全球市场份额 。其中,扩产动作最为迅猛的长鑫存储,已明确计划加速扩建上海厂区 ,据规划,该厂区规模将达到合肥总部的2至3倍,主要聚焦服务器、个人电脑及车用电子所需的DRAM产品生产 ,同时将同步扩建HBM生产线 ,填补国内AI用高端内存空白。
按照既定时间表 ,长鑫存储上海厂区设备装机预计于2026年下半年启动 ,2027年正式进入投产阶段 。值得关注的是,长鑫存储HBM3产品基于17nm节点开发,样品已于2025年底交付华为等客户测试 ,计划2026年底实现量产,上海新厂投产后 ,其HBM月产能目标达5万片,将显著提升长鑫存储在全球DRAM市场的供给能力。目前,长鑫存储合肥 、北京两处工厂已处于满负荷运转状态,本土企业订单极为旺盛 。
中国NAND Flash大厂长江存储也在同步发力 ,加速产业布局。其位于武汉的三期项目原定2027年达成的量产目标,有望提前至2026年下半年启动 ,该项目主力量产232层3D NAND ,并同步推进300层以上产品研发。更为值得关注的是 ,长江存储计划调整发展策略,将新厂约50%的产能转向DRAM产品生产 ,正式开启NAND与DRAM双领域并行发展的新模式,进一步完善中国存储产业的产品矩阵,同时其三期项目设备国产化率目标达70%,全力推进核心环节本土替代 。

对于中国存储厂商的崛起及全球存储器市场格局的变化 ,Yole Group亚洲区主管Gary Huang分析指出 ,当前全球内存供给持续吃紧,这一市场环境为新兴业者创造了有利的发展契机。加之中国的政策支持 ,正推动更多客户主动寻找替代性供应来源 ,这不仅为长鑫存储 、长江存储等中国厂商带来了新的成长动能 ,也将深刻影响全球存储器市场的竞争格局。
业内人士表示,中国存储厂商的加速崛起,不仅有助于完善国内存储产业生态 、实现供应链自主可控,也将打破国际巨头对全球存储市场的垄断格局 。随着长鑫存储、长江存储等企业扩产计划的逐步落地,未来全球存储器市场的竞争态势或将迎来根本性转变,中国存储产业有望在全球市场中占据更重要的地位 。